在这项研究中,作者采用简单的一步电纺丝工艺,通过选择性掺杂锶(Sr)元素有效控制NFs的载流子浓度,从而提高其电气器件性能。电纺E型Sr-In2O3NF场效应晶体管也可以集成到性能优异的全幅逆变器中,进一步阐明了这种电纺丝技术在未来低成本、节能、大规模和高性能电子应用方面的重大进展。
论文题目:Modulating Electrical Performances of In2O3 Nanofiber Channel Thin Film Transistors via Sr Doping
作者:Fengyun Wang, etc.
上线时间:13 January 2019