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武汉工程大学商超群&华南师范大学王新J. Colloid Interface Sci.:“嫁接法”构筑NiSe/Cu2-xSe异质结自支撑电极助力高性能钠存储
2023/6/21 10:46:36 admin

DOI: 10.1016/j.jcis.2023.05.155

 

制造用于Na+存储的独立式电极对于实现高能量密度是十分必要的。然而,Na+的大半径使得活性材料的体积波动大,反应动力学缓慢,特别是在高活性材料含量下,从而导致较低的电化学性能,以及不理想的循环性能或倍率性能。在本研究中,作者成功构建了一种基于具有双碳保护壳的“NiSe接枝Cu2-xSe”异质结构(NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs)的独立电极,用于Na+存储。在这种微观结构中,N掺杂碳纳米纤维(NCNFs)作为具有内置电场的双生NiSe/Cu2-xSe异质结构的主干,其中NiSe提高了Na+吸收,Cu2-xSe增强了Na+扩散。与Cu2-xSe@C@NCNFs(在2A/g时为26mAh/g)和NiSe@C@NCNFs(在2A/g时为9mAh/g)相比,“嫁接法”设计使独立式NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs电极具有76.1wt%的高活性物质含量,在Na+存储时表现出优异的电化学性能(在2A/g时为75mAh/g)。

 

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图1.NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs在不同放大倍率下的典型(a和b)SEM图像、(c)TEM图像、(d)HRTEM图像和(e)HAADF以及相应的EDS元素图谱。


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图2.NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs、NiSe@C@NCNFs和Cu2-xSe@C@NCNFs电极的(a)XRD、(b)TGA和(c)燃烧后的相应XRD,以及(d)拉曼分析。NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs的(e)Ni2p和Cu2p以及(f)Se3d的高分辨率XPS结果。


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图3.(a)NiSe“接枝”Cu2-xSe的模型。NiSe/Cu2-xSe、NiSe和Cu2-xSe的DFT计算:(b)Na+吸附能。(c)Na+扩散屏障。(d)原子DOS和计算模型。(e)费米能级价带结构。


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图4.NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs电极:初始三个循环的(a)CV曲线和(b)充放电曲线,(c)初始循环期间的非原位XRD结果,(d)初始循环之前和(e)之后Se|χ(R)|的XANES。NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs、NiSe@C@NCNFs和Cu2-xSe@C@NCNFs的(f)循环和(g)倍率性能。


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图5.(a)NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs在不同扫描速率下的CV曲线和(b)相应的log(i)与log(v)图。(c)NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs、NiSe@C@NCNFs和Cu2-xSe@C@NCNFs在0.6mV/s下的电容行为和(d)在不同扫描速率下的电容控制贡献。(e)EIS结果和(f)100次循环后ω-1/2与Z′的对应图。(g)100次循环之前和(h)之后NiSe/Cu2-xSe@C@NCNFs的SEM图像。


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